研究課題
基盤研究(C)
我々はこれまで核子当たり100~ 200kev/uの重イオンビームのための長寿命荷電変換用炭素薄膜の開発を行って来た。このエネルギー領域の場合、必要膜厚は1~ 20.g/cm2であった。今回の開発では、高エネルギー負水素イオンおよび中高エネルギー重イオンのための50-100g/cm2の厚い炭素薄膜の開発を行った。これまで世界ではこのような厚い炭素膜の製作は、製作歩留まりが悪いことなどからイオンビームスパッタリング法で行われて来たことはなかった。
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