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2009 年度 実績報告書

低温超音波計測によるシリコン結晶の原子空孔濃度絶対値測定の研究

研究課題

研究課題/領域番号 21560012
研究機関新潟大学

研究代表者

金田 寛  新潟大学, 超域研究機構, 教授 (30418131)

キーワードシリコン / 原子空孔 / 絶対濃度 / 超音波
研究概要

本研究では,四極子-歪結合定数g_Γの値を実験的に決定することを目的として,雰囲気が制御された等温熱処理によって原子空孔濃度が熱平衡濃度に到達した状況をつくり,これを急冷凍結する.このような熱処理の温度としては,1380,1330,1280,1240,1200,1160,1130℃を計画している.
今年度は,このような高温・長時間熱処理を実施するために,遊休設備として分解・保管されていた熱処理炉の組立てと立上げ実験を行った.炉心管としては,1200℃までの熱処理温度に用いる高純度石英管と,それ以上の高温熱処理に用いるシリコンカーバイド炉心管の二種類が準備されているが,今回の立上げ実験は高純度石英管を用いて行った.立上げ実験の結果,炉の運転条件として,1100℃,6時間(密閉窒素雰囲気)が難なく実現できることが実証できた.炉の昇温・降温についても,炉の設計・制作当時の制御性を再現することができた.この条件における熱処理温度の安定性についても±10℃が実現できた.石英管の耐熱性に関する運転実績から考えて,この立上げ実験の成功は,1200℃,6時間の雰囲気制御熱処理が可能であることを実証したと言える.密閉状態についても,窒素ガス99.9%以上を実現し,外部汚染の侵入の問題を回避するために十分な密閉性が確保されていることがわかった.
商業用シリコンウェーハを用いての汚染チェック実験も行った.目視検査の範囲では,金属汚染などによって引き起こされるウェーハ表面のピット欠陥されなかった.
さらに高い熱処理温度(1380,1330,1280,1240℃)に対する立上げ実験は,22年度の初めに実施する予定である.最高温度(1380℃)における汚染チェック実験(目視とDLTS法を採用する予定)も合わせて実施する.

  • 研究成果

    (19件)

すべて 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (16件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Low-temperature elastic softening due to vacancies in boron-doped FZ silicon crystals2010

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanabe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 156-158

      ページ: 135-138

    • 査読あり
  • [学会発表] ボロン添加FZシリコンの原子空孔軌道の四極子効果II2010

    • 著者名/発表者名
      永井勇太, 馬場正太郎, 赤津光洋, 小松悟, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会 第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山大学津島キャンパス
    • 年月日
      2010-03-20
  • [学会発表] 超音波計測を用いたボロン添加FZシリコンの原子空孔観測東海大学湘南キャンパス2010

    • 著者名/発表者名
      馬場正太郎, 永井勇太, 赤津光洋, 小松悟, 三本啓輔, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定2010

    • 著者名/発表者名
      三本啓輔, 岡部和樹, 柳瀬隆史, 赤津光洋, 馬場正太郎, 永井勇太, 小松悟, 小野恭史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] 分子動力学法によるシリコン原子空孔周囲の歪場解析2009

    • 著者名/発表者名
      小川貴史, 鶴田健二^A, 家富洋, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      第19回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜情報文化センター
    • 年月日
      20091207-20091208
  • [学会発表] Density-Functional-Analysis on Vacancy Orbital and its Elastic Response of Silicon2009

    • 著者名/発表者名
      Tatafumi ogawa, Kenji Tsuruta, Hiroshi Iyetomi, Hiroshi Y Kaneta, Terutaka Goto
    • 学会等名
      Material research society 2009 fall meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2009-11-30
  • [学会発表] Low-temperature elastic softening due to vacancies in B-doped FZ Si crystals2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology-GADEST 2009
    • 発表場所
      North of Berlin, Germany
    • 年月日
      2009-09-27
  • [学会発表] B-doped FZ Siの原子空孔軌道の四極子効果2009

    • 著者名/発表者名
      永井勇太, 馬場正太郎, 赤津光洋, 小松悟, 渡邊肇, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 中村慎太郎,金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本大学黒髪キャンパス
    • 年月日
      2009-09-25
  • [学会発表] ボロン添加FZシリコンの弾性定数の磁気異方性2009

    • 著者名/発表者名
      馬場正太郎, 永井勇太, 赤津光洋, 小松悟, 渡邊肇, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 中村慎太郎, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本大学黒髪キャンパス
    • 年月日
      2009-09-25
  • [学会発表] 低温超音波計測によるシリコン原子空孔評価-その物理と実用評価技術2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      第19回格子欠陥フォーラム「半導体格子欠陥の最前線」
    • 発表場所
      九州大学応用力学研究所
    • 年月日
      2009-09-24
  • [学会発表] Characteristic Aspects of Low-Temperature Elastic Softening Due to Vacancies in Boron-Doped FZ Silicon Crystals2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      13th International Conference on Defects Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIR XIII)
    • 発表場所
      Wheeling, West Virginia, USA
    • 年月日
      2009-09-15
  • [学会発表] 超音波によるB添加FZシリコンの原子空孔の電荷状態の研究2009

    • 著者名/発表者名
      永井勇太, 馬場正太郎, 赤津光洋, 小松悟, 渡邊肇, 三本啓輔, 小川貴史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] シリコン原子空孔:試料への直接塗布によるP(VDF/TrFE)圧電薄膜の作成2009

    • 著者名/発表者名
      岡部和樹, 三本啓輔, 柳瀬隆史, 赤津光洋, 小野恭史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定2009

    • 著者名/発表者名
      三本啓輔, 岡部和樹, 柳瀬隆史, 赤津光洋, 小野恭史, 根本祐一, 金田寛, 後藤輝孝
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] Quadrupole Effects of Vacancy Orbital in Boron-Doped Silicon2009

    • 著者名/発表者名
      T.Goto, M.Akatsu, H.Watanabe, Y.Nagai, S.Baba, Y.Nemoto, H.Yamada-Kaneta, I.Ishii, T.Ogawa, K.Mitsumoto
    • 学会等名
      The International Conference on Magnetism-ICM 2009
    • 発表場所
      Karlsruhe, Germany
    • 年月日
      2009-07-29
  • [学会発表] Observation of vacancy in crystalline silicon by ultrasonic measurements with piezoelectric copolymer trandsducers2009

    • 著者名/発表者名
      K.Mitsumoto, T.Yanase, K.Okabe, M.Akatsu, H.Watanabe, Y.Nagai, S.Baba, Y.Ono, Y.Negai, S.Baba, Y.Ono, Y.Nemoto, H.Y-Kaneta, T.Goto
    • 学会等名
      25^<th> International Conference on Defects in Semiconductors
    • 発表場所
      St Petersburg, Russia
    • 年月日
      2009-07-21
  • [学会発表] Characteristic aspects of elastic softening due to vacancies in boron-doped FZ silicon observed by low-temperature ultrasonic measurements2009

    • 著者名/発表者名
      H.Yamada-Kaneta, H.Watanbe, Y.Nagai, S.Baba, M.Akatsu, Y.Nemoto, T.Goto
    • 学会等名
      25^<th> International Conference on Defects in Semiconductors
    • 発表場所
      St Petersburg, Russia
    • 年月日
      2009-07-20
  • [備考]

    • URL

      http://www.sc.niigata-u.ac.jp/goto/

  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ2009

    • 発明者名
      後藤輝孝、金田寛、根本祐一、赤津光洋
    • 権利者名
      国立大学法人 新潟大学
    • 産業財産権番号
      特願2009-206397(日本)
    • 出願年月日
      2009-09-07

URL: 

公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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