研究課題
基盤研究(C)
未結合手をもたない原子層オーダーの薄いグラフェン表面保護膜をGaN表面に形成する構造を提案し、GaN系電子デバイスの高駆動力化、高速化、高集積化を推進すること目的とする検討を行った。SiC基板上から転写することによる数ミリ角の大面積高品質グラフェン膜の形成、および酸素プラズマを用いたエッチング技術の確立を達成し、グラフェンを介在したショットキー電極で障壁高さが低下することを示した。
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