ナノワイヤ相変化メモリにおける縮小化に関する研究

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21710135
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: マイクロ・ナノデバイス
• 研究機関: 群馬大学
• 研究代表者: イン ユウ 群馬大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10520124)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• キーワード: 相変化メモリ / 微細化 / 低消費電力

研究概要

本研究では、エッチングとリフトオフを用いてナノワイヤ相変化メモリを作製し、評価した。また、超高密度低消費電力相変化メモリセルを開発するため,ブロックコポリマー自己組織化と2ステップエッチングにより相変化TiN/Ge2Sb2Te5(GST)/TiNナノ素子列(207Gbit/in2)を加工し,メモリの電気特性を評価した。1.8V, 100nsのパルスで100μAという低リセット電流でアモルファス化させることに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Controllable crystallization in phase-change memory for low-power multilevel storage (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Material engineering for low power consumption and multi-level storage in lateral phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, S. Hosaka
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 490-495 ページ: 3286-3290
  • 査読あり
• [雑誌論文] Random-access multilevel storage in phase-change memory by staircase-like pulse programming (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Kobayashi, T. Noguchi, Y. Yin, S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 497 ページ: 111-115
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of phase-change materials and additional layer on performance of lateral phase-change memories (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, SHosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 497 ページ: 106-110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Crystal growth suppression by N-doping into chalcogenide for application to next-generation phase-change memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 497 ページ: 101-105
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large-Area (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Yoon, H. Jeong, S. Hong, Y. Yin, H. Moon, S. Jeong, J. Han, Y. Kim, Y. Kim, Heon Lee, S Kim, J. Lee
  • 雑誌名: Scalable Fabrication of Conical TiN/GST/TiN Nanoarray for Low-Power Phase Change Memory Journal of Materials Chemistry 巻: 22 ページ: 1347-1351
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large resistance ratio for high reliability of multi-Level storage in phase-change memory (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 459 ページ: 140-144
  • 査読あり
• [雑誌論文] Proposed phase-change memory with a step-like channel for high-performance multi-state storage (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 459 ページ: 145-150
  • 査読あり
• [雑誌論文] Multilevel storage in lateral phase-change memory by promotion of nanocrystallization (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 雑誌名: Microelectron, Eng 巻: 88 ページ: 2794-2796
  • 査読あり
• [雑誌論文] Possibility of freely achievable multilevel storage of phase-change memory by staircase-shaped pulse programming (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Noguchi, S. Hosaka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50 ページ: 1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Possibility of forming 18-nm-pitch ultrahigh density fine dot arrays for 2 Tbit/in.2 patterned media using 30-keV electron beam lithography (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Hosaka, Y. Tanaka, M. Shirai, Z. Mohamad, Y. Yin
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 49 ページ: 1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Multi-level-storage in N-doped Sb2Te3 based lateral phase-change memory with an additional top TiN layer (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, K. Ota, T. Noguchi, H. Ohno, H. Sone, S. Hosaka
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 48 ページ: 1-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reactively sputtered Ti-Si-N films for application as heating layers for low-current phase-change memory (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Noguchi, K. Ota, N. Higano, H. Sone, S. Hosaka
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: 152 ページ: 1-6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Programming margin enlargement by material engineering for multi-level storage in phase-change memory (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, S. Hosaka
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 95 ページ: 1-3
  • 査読あり
• [学会発表] Multi-Level Storage in Lateral Phase-Change Memory : from 3 to 16 Resistance Levels (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, R. Kobayashi, S. Hosaka
  • 学会等名: 3nd International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
  • 発表場所: Gunma, Japan
  • 年月日: 2011-12-08
• [学会発表] 10-nm-Order-Wide Nanowire Phase-Change Memory (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Itagawa, S. Hosaka
  • 学会等名: the International Conference on Nanoscience and Technology
  • 発表場所: Beijing, China.
  • 年月日: 2011-09-08
• [学会発表] Diblock Copolymer Self-Assembled Nanodots for Next-Generation Magnetic Recording (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, M. Huda, T. Akahane, S. Hosaka
  • 学会等名: the International Conference on Nanoscience and Technology
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2011-09-08
• [学会発表] Multi-level Storage in Lateral Multi-layer and Single Layer Phase-change Memory (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, S. Hosaka
  • 学会等名: 2011 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2011-04-27
• [学会発表] Electron Beam Lithography for 10-nm-Wide Nanowire Phase-Change Memory (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Itagawa, S. Hosaka
  • 学会等名: 2011 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2011-04-26
• [学会発表] Multi-levels phase change memory using pulse modulation (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Hosaka, T. Noguchi, Y. Yin
  • 学会等名: Int. symposium EPCOS
  • 発表場所: Milano, Italy.
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] Material engineering in phase-change memory for low power consumption and multi-level storage (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, S. Hosaka
  • 学会等名: the 5th International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits
  • 発表場所: Xian, China
  • 年月日: 2009-11-26
• [学会発表] Multi-Level Storage in Lateral Phase-Change Memory (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, K. Ota, S. Hosaka
  • 学会等名: the International Conference on Nanoscience and Technology
  • 発表場所: Beijing, China.
  • 年月日: 2009-09-04
• [備考]
  • URL: http://www.ps.eng.gunma-u.ac.jp/~yinyou/