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高感度遠赤外線半導体センサーの大フォーマット化技術である絶対温度2K前後で駆動するアナログ集積回路の研究に取り組んだ。本課題では極低温用途のプロセスとして完全空乏型SOI-CMOS プロセスに着目し、FET単体での評価において、2K冷却時も特性劣化が少なく雑音特性も許容範囲内であることを実験的に確認した。続いて同プロセスでOPアンプ、フリップフロップ等の基本回路を試作・評価し、期待通りの性能を有することを示した。即ち、完全空乏型SOI-CMOSプロセスを使うことで極低温で駆動可能な基本回路レベルの開発ができることが実証された。
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