研究課題
基盤研究(B)
シリコン量子ビットを実装する同位体薄膜において局在水素を機能利用する界面制御の方法論と基盤技術を開発した。水素導入脱離のプロセス計測による効率的な条件探索法の開発、同位体援用による水素クラスター欠陥の高感度検出と精密評価、デバイス界面由来の電気雑音の室温評価が可能な装置の開発などに成功した。同位体薄膜を実装基板として量子ビットの制御性に関わるバレー分離の性能検証も行った。
同位体工学、薄膜表面界面物性
水素プロセス挙動のハイスループット計測、高感度な水素検出が可能な質量分析標準、デバイス界面性能の室温評価装置など、同位体薄膜の界面制御に必要な計測技術として高い有用性を示す。半導体産業レベルで広く利用される局在水素による欠陥制御工学の学理構築と、シリコン同位体薄膜の量子計算基板の性能を引き上げる技術基盤として学術的および社会的に意義がある。