| 研究課題/領域番号 |
21H04650
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
福谷 克之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900)
|
|---|
| 研究分担者 |
中西 寛 明石工業高等専門学校, 専攻科, 教授 (40237326)
関場 大一郎 筑波大学, 数理物質系, 講師 (20396807)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2024-03-31
|
| 研究の概要 |
固体表面における水素の拡散は表面科学においてトラディショナルな問題である一方で、水素吸蔵が応用上重要であることが認識され始めており近年その重要性は急速に高まり、以前より社会的要請が加わった重要問題といえる。本研究はパルス水素イオンビーム源を開発し、水素が物質表面で反応するダイナミクスをより詳細に明らかにしようとするものである。
|
| 学術的意義、期待される成果 |
急速に発展している水素に関する学術において、水素を高感度に検出しその拡散挙動を調べる計測技術は、汎用性が高く産業応用上極めて重要である。これまでの地道で丁寧な実験から、NRA 法や QR 法などの独創的な技術開発などによって、もたらされた優れた研究である。計算科学を用いて水素イオン拡散の学理構築も提案しており、全体として波及効果が大きく基盤研究として極めて重要である。
|
