| 研究課題/領域番号 |
21H04652
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京科学大学 |
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研究代表者 |
笹川 崇男 東京科学大学, 総合研究院, 准教授 (30332597)
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| 研究分担者 |
黒田 健太 広島大学, 先進理工系科学研究科(理), 准教授 (00774001)
矢野 力三 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (80830356)
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| 研究期間 (年度) |
2021-04-05 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
トポロジカル電子材料の開発に関して、マテリアルズ・イオンフォマティクスの手法を併用しつつ、第一原理計算や独創的な実験技術による先進的なアプローチで、真の応用を目指す革新的な研究である。
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| 学術的意義、期待される成果 |
応募者のこれまでの物質・物性開拓の能力は十分な実績に裏付けられており、各成果の評価も高い。マテリアルズ・イオンフォマティクスの問題点を克服できる新研究戦略により、トポロジカル材料工学分野構築に向けた大きな進展が十分に期待できる。
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