| 研究成果の概要 |
本研究は溶液金属イオン源を真空中静電噴霧イオン（V-ESI）化によってイオンビームを形成し、回転電場質量分離器(REF-MS)によって特定の元素のみを選択することで薄膜形成を可能とする技術を構築する。V-ESI化条件においては、イオンの疑似光源を最小限に設計することで集束特性を高めると同時に、イオン電流を確保するためチップ開口端からのよう溶液金属の供給するために最適なチップの開発を行った。Co, Cu, Ni三元系材料の評価を目的としたイオンビームのパラメータ構築のためCo(NO3)2, Cu(NO3)2 , Ni(NO3)2混合溶液の質量イメージを取得した。
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