望む化学変換に有効な金属触媒系を確立するには、配位子の電子供与性の調節が不可欠であり、その多様性の拡張は実現可能な化学反応の多様化につながる。本研究では、電子供与性が高いことが知られているものの、錯体合成等への応用が極限定的なNHOを基盤構造として用いた。独自に飽和型NHOを開発して種々検討した結果、その電子供与性は汎用されるNHC配位子よりも高く、既知の不飽和型NHOよりも低い、NHCと不飽和NHOの間の性質を示す配位子であることが分かった。独自にNHO-Pd錯体が触媒として機能する例も見出したことから、更なる検討によって新奇反応を実現し得る金属触媒の開発につながるものと期待する。
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