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本研究では、ε-CoSi1-xGex系積層膜/SiにおいてDirac電子の超高電気伝導率とHeavy band位置の意図的制御による高ゼーベック係数を実現して熱電出力因子増大を、さらに合金・界面フォノン散乱誘発による熱伝導率低減を同時達成することを目的とした。本研究では、エピタキシャルε-CoSi薄膜及びε-CoGe/ε-CoSi1-xGex積層膜の形成に成功し、電子-フォノン相互作用によるバンド間遷移を利用した高ゼーベック係数、合金・界面フォノン散乱による低熱伝導率を同時に実現するだけでなく、原子置換による高性能化も達成した。本成功は、Si基板上薄膜熱電電源の実現可能性を高めるものである。
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