| 研究課題/領域番号 |
21K18668
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
高橋 哲 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30283724)
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| 研究分担者 |
門屋 祥太郎 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (60880234)
道畑 正岐 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (70588855)
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| 研究期間 (年度) |
2021-07-09 – 2024-03-31
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| キーワード | 異物検出 / ナノ欠陥 / ナノ異物 / シリコンウエハ / 表面欠陥 |
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| 研究実績の概要 |
従来半導体プロセスにおいて現場適用されていた光学的散乱型計測法原理では物理的検出限界となっていた超平滑加工表面のナノ付着異物計測法について新光学システムの提案，開発を目指す．具体的には，基板上に滴下した揮発性不活性溶媒の液相界面とナノ異物との近接場における力学的・光学的相互作用を，並列情報処理性，現場適用性の高い遠隔場光学技術で取得することで，非破壊性，高速性を維持したまま，従来異物サイズ検出限界を打破可能な新概念近接場計測プローブ法の開発において，動的位相差検出が可能な新しい概念の光学システムの適用を提案し，1nm表面異物欠陥計測実現への可能性を，理論・実験の両面から検討する．
本年度は，前年度に開発した動的位相差顕微基礎実験装置を用いて，疑似液相薄膜を採用した時間変動要素排除厳密実験により、ナノ欠陥検出時に生じる薄膜変動を高感度で検出可能であることを定量的に実証した。
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