| 研究課題/領域番号 |
21K18668
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
高橋 哲 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30283724)
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| 研究分担者 |
門屋 祥太郎 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (60880234)
道畑 正岐 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (70588855)
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| 研究期間 (年度) |
2021-07-09 – 2024-03-31
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| キーワード | 異物検出 / ナノ欠陥 / ナノ異物 / 表面欠陥 |
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| 研究成果の概要 |
従来光学的散乱型計測法原理では20 nm 程度が物理的検出限界となっていた半導体加工表面のナノ付着異物計測法について新光学システムの提案，開発を目指す．具体的には，基板上に滴下した揮発性不活性溶媒の液相界面とナノ異物との近接場における力学的・光学的相互作用を，並列情報処理性，現場適用性の高い遠隔場光学技術で取得することで，非破壊性，高速性を維持したまま，従来異物サイズ検出限界を打破可能な新概念近接場計測プローブ法の開発において，特に動的位相差検出が可能な新しい概念の光学システムの適用を提案するとともに，基礎実験装置を開発し，その有効性を検証した．
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| 自由記述の分野 |
光製造科学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
今日，高性能半導体デバイスを高い信頼性をもって生産することは，持続的社会の実現にあたり，ますます重要となっている．半導体デバイスの高性能化のためには，配線パタンの微細化が必要となり，そのためには，半導体デバイスの基板となるベアSiウエハ表面上のナノスケールの異物管理が不可欠となっている．本研究成果は，従来困難だったベアSiウエハ表面上のナノスケール欠陥の検出可能性を示唆するものであり，大きな社会的意義を有する．
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