研究課題/領域番号 |
22226009
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研究種目 |
基盤研究(S)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 横浜国立大学 |
研究代表者 |
吉川 信行 横浜国立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70202398)
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研究分担者 |
藤巻 朗 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (20183931)
日高 睦夫 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 上級主任研究員 (20500672)
前澤 正明 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 (40357976)
鈴木 秀雄 (財)国際超電導産業技術研究センター, 超電導工学研究所, 主管研究員 (40607230)
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研究協力者 |
DOROJEVETS Mikhail Stony Brook大学, Department of Electricals and Computer Engineering, Professor
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研究期間 (年度) |
2010-05-31 – 2015-03-31
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キーワード | 超伝導デバイス / 低消費電力 / 断熱論理回路 / QFP / SFQ / ジョセフソン素子 / 超伝導集積回路 / 単一磁束量子回路 |
研究成果の概要 |
量子化磁束を情報担体とする単一磁束量子(Single Flux Quantum: SFQ)回路は、高速動作が可能でありながら、その消費電力は半導体に比べて3~4桁小さい。本研究では、高速低消費電力で知られるSFQ回路の極限的な低消費電力化を目指した。断熱モード動作など、低消費電力化への回路的ブレイクスルーを中心に、アーキテクチャ、プロセスも含めすべての知見を導入して低消費電力化を図った。これにより、SFQ回路の消費電力を従来の1/1000に低減することが可能となった。本研究では、学術的にも未踏領域となる高性能サブμWマイクロプロセッサを実現するための基盤技術を確立した。
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自由記述の分野 |
電子工学、集積回路工学、超伝導エレクトロニクス
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