| 研究課題/領域番号 |
22226012
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
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| 連携研究者 |
須藤 祐司 東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80375196)
根石 浩司 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (00404020)
安藤 大輔 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (50615820)
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 銅合金 / 薄膜 / 配線 / 半導体 / 界面 / リフロー / バリア層 |
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| 研究成果の概要 |
半導体多層配線は、微細化の進展に伴って導体配線と絶縁層の界面に存在するバリア層厚さを可能な限り薄くすることが求められている。本研究はバリア層自己形成法に着目し、その形成機構を明らかにするとともに、プロセス限界を超越できる拡散バリア層の材料ならびに形成方法を提供することを目的とした。バリア層自己形成機構に関しては、電界促進拡散による機構であることを明らかにし、合金元素によって電界強度に差異が生じるため自己形成挙動が異なることを示した。また、将来の超微細配線を想定して、化学気相成長法による極薄バリア層の形成法とスパッタリフロー法による配線の形成法を確立し、それらの形成機構を明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
材料工学
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