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2012 年度 研究成果報告書

新しい高出力深紫外発光素子の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 22246051
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関立命館大学

研究代表者

青柳 克信  立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 特別招聘教授 (70087469)

研究分担者 武内 道一  立命館大学, 立命館グローバル, 准教授 (60284585)
黒内 正仁  立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, ポストドクトラルフェロー (10452187)
研究協力者 黒瀬 範子  PIリサーチ, 主任研究員
研究期間 (年度) 2010 – 2012
キーワード深紫外光 / マイクロプラズマ / AlGaN / MIPE / 深紫外発光素子 / 水浄化 / 医療応用 / 高出力
研究概要

新たに提案したマイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の原理実証研究を行った。このデバイスは制作コストが安く、フラットパネルタイプで大面積化が容易で、深紫外領域の任意の波長で高出力発光を得ることができる。本研究でその原理実証研究に成功し、2インチの大面積化に成功した。その発光出力は50mWの高出力を得た。また用いたAlGaN多重量子井戸の設計を変えることにより、229nmから410nmまでの任意の波長で発光できることを実証した。この結果は将来1mx5mのワイドMIPEを作製でることを示しており、その出力は100Wにも及ぶ。またこれを用いて水銀フリーの深紫外光源の水や空気の浄化、難分解性物質の分解、医療への応用等多くの応用可能性が広がった。

  • 研究成果

    (19件)

すべて 2013 2012 2011 2010

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (8件) 図書 (1件) 産業財産権 (6件) (うち外国 1件)

  • [雑誌論文]2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, N. Kurose
    • 雑誌名

      Applied PhysicsLetters

      ページ: 041114-1-041114-3.

    • 査読あり
  • [雑誌論文]2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H.Hirayama
    • 雑誌名

      AIP Advances

      ページ: 0012177-0012183

    • 査読あり
  • [雑誌論文]2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko,H. Nakamura
    • 雑誌名

      Journal of Environmental Protection

      巻: 137 ページ: 1215-1218

    • 査読あり
  • [雑誌論文]2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, M. Takeuchi, S. Iwai, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Letters

      ページ: 112110-1-112110

    • 査読あり
  • [学会発表] Large areamicro-plasma exited AlGaN deep ultravioket light emitter2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      InternationalDisplay Workshop
    • 発表場所
      京都国際会議場 (京都府)
    • 年月日
      2012-12-04
  • [学会発表] Development of newdeep ultra-violet light emitter usingmicro-plasma excitation of AlGaN and itsapplication2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Aoyagi, N. Kurose
    • 学会等名
      International Conference onNanotechnology and MEMS
    • 発表場所
      静岡大学 (静岡県)
    • 年月日
      2012-12-01
  • [学会発表] Development oflarge area micro-plasma-excited AlGaNdeep ultraviolet light device (MIPE) fordisinfection of water2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      WaterContamination Emergency Conference 5
    • 発表場所
      Mulheim an der Ruhr(Germany).
    • 年月日
      2012-11-19
  • [学会発表] Two inch large areaDUV AlGaN light emitter using micro-plasmaexcitation2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      Iinternational Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター (北海道)
    • 年月日
      2012-10-16
  • [学会発表] 高出力大面積マイクロプラズマ励起AlGaN深紫外発光素子の開2012

    • 著者名/発表者名
      黒瀬範子、青柳克信
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-10-11
  • [学会発表] Development of new deep ultra-violet light emitter usingmicro-plasma excitation of AlGaN and itsapplication2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kurose, Y. Aoyagi
    • 学会等名
      International Symposium onGaN related compounds
    • 発表場所
      St.Petersburg (Russia)
    • 年月日
      2012-07-16
  • [学会発表] AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、林洋平、荒木努、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2010-03-29
  • [学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2010-03-28
  • [図書] 基礎からわかるナノデバイス2011

    • 著者名/発表者名
      青柳克信、石橋幸治、高柳英明、中ノ勇人、平山祥郎
    • 総ページ数
      125-176
    • 出版者
      コロナ社
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫、青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学, (有)光電鍍工業所
    • 産業財産権番号
      特許 特願 2011-231347
    • 出願年月日
      2011-10-21
  • [産業財産権] AlN層の製造方法およびAlN2011

    • 発明者名
      青柳克信 武内道一
    • 権利者名
      立命館大学
    • 産業財産権番号
      特許 特願 2011-151137
    • 出願年月日
      2011-07-07
  • [産業財産権] Crystal growth method and2011

    • 発明者名
      青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学,シャープ(株)
    • 産業財産権番号
      特許 公開 US-2012-0007039-Al
    • 出願年月日
      2011-03-03
    • 外国
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫、青柳克信
    • 権利者名
      立命館大学, (有)光電鍍工業所
    • 産業財産権番号
      特許 特願 2011-038925
    • 出願年月日
      2011-02-24
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子およ2011

    • 発明者名
      太田征孝、青柳克信
    • 権利者名
      シャープ(株)、立命館大学
    • 産業財産権番号
      特許 特願 2011-004714
    • 出願年月日
      2011-01-13
  • [産業財産権] 結晶成長方及び半導体素子2010

    • 発明者名
      青柳克信 武内道一
    • 権利者名
      立命館大学
    • 産業財産権番号
      特許特願 2010-155388
    • 出願年月日
      2010-07-08

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公開日: 2014-08-29   更新日: 2015-09-15  

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