研究課題
基盤研究(B)
電界誘起電子スピン共鳴法を用いて、有機薄膜トランジスタの特性を決定づける微視的要因、特に多結晶薄膜を構成する微結晶内のトラップ状態密度分布、不純物準位、および微結晶間の障壁ポテンシャルを評価解析する手法を開発した。また解析に必要な孤立分子のg値測定を行うとともに、解析の結果得られた広く分布する浅い局在状態密度が、ゲート絶縁層内の極性基のランダム配向に起因したポテンシャル揺らぎに起源を持つことを明らかにした。
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すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (10件) 備考 (2件) 産業財産権 (1件)
日本物理学会誌
巻: 67巻(10 月号) ページ: 695-699
電子スピンサイエンス学会誌
巻: 10巻(19号) ページ: 82-87
Physical Review B
巻: vol. 85 ページ: 035308-1-9
DOI:10.1103/PhysRevB.85.035308
巻: vol. 85 ページ: 085211-1-12
DOI:10.1103/PhysRevB.85.085211
巻: vol. 82 ページ: 161301(R)-1-4
DOI:10.1103/PhysRevB.82.161301
http://unit.aist.go.jp/flec/fos/research/research_03.html
http://www.aist.go.jp/aist_j/new_research/nr20120215/nr20120215.html