研究課題
基盤研究(B)
ULSI等電子デバイス製造に必須なスパッタリング・ターゲット用高純度金属(Mo,V,Zr)を対象に、特殊溶解法〔水素プラズマ溶解(HPAM),電子ビーム溶解(EBM)等〕による高純度化を検討した。HPAMは常圧溶解であるにも拘らず、高真空EBMと同様に高蒸気圧の金属不純物(Fe,Al,Cr等)の蒸発除去に優れ、さらに目的の高融点金属の蒸発損失を低く抑えた効率的な高純度精製が可能な事を実証した。また、減圧HPAMでは常圧HPAMより一層精製効果が向上する事を初めて明らかにした。
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