研究課題
若手研究(A)
基板貼り合せ技術を用いたIII-V-on-Insulator(III-V-OI)基板作製技術を確立することで、III-V-OI基板を用いたInP系細線導波路パッシブデバイスに加えて、高性能光変調器・スイッチ、導波路型受光器の動作実証に世界で初めて成功した。また、III-V-OI基板上へのInGaAs MOSトランジスタの作製技術の確立にも成功した。この結果、III-V-OI基板上に超小型III-V族半導体細線導波路光デバイスと超高性能III-V族半導体CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォームの基盤技術の実証に成功した。
すべて 2014 2013 2012 2011 その他
すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (11件) (うち招待講演 5件) 備考 (1件)
電子情報通信学会和文論文誌C
巻: vol.J97-C, No.3 ページ: 95-103
Appl. Phys. Express
巻: Vol.6 ページ: 042501
10.7567/APEX.6.042501
Optics Express Letters
巻: vol.20, no.26 ページ: B357-B364
10.1364/OE.20.00B357
巻: Vol.5 ページ: 014201
10.1143/APEX.5.014201
巻: Vol.4 ページ: 114201
10.1143/APEX.4.114201
http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/