研究課題
若手研究(B)
まず、半導体中の電子と正孔の運動を考え、その1次元の定常問題を考えた。境界条件は、オーミック接触を表すディリクレ境界条件を課した。さらに、大きなドーピングプロファイル（半導体中に固定されたイオン）を考えた。このとき、解の存在と一意性を示した。次に、ノズル内の気体の運動を考えた。この現象は、圧縮性オイラー方程式によって記述される。この初期値問題を研究し、2011年度にはラバル管に対して大きな初期値を与えて、2012年度には一般の初期値に対して小さな初期値を与えて、それぞれ時間大域解の存在を示した。ここで、ラバル管とは、狭まり広がりの形をした応用上最も重要なノズルである。
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Arch. Ration. Mech. Anal
巻: 209, no.2 ページ: 365-400
10.1007/s00205-013-0637-5
巻: 205, no.1 ページ: 151-193
10.1007/s00205-012-0503-x
Nonlinear Anal
巻: 73, no.3 ページ: 779-787
10.1016/j.na.2010.04.015
