次世代メモリ等の半導体素子に対して、共通して使用可能な電気特性計測プラットフォーム技術の開発を行った。まず共通下地回路を作成し想定通りにDUTの電圧を計測可能なことを確認した。次にDUTとしてHfOx膜メモリ素子を追加プロセスで形成し評価を行った。フォーミング、セット・リセット動作によるメモリ素子の抵抗値変化を確認し、抵抗値特性の大規模計測と解析評価が可能であると示した。三次元積層技術の導入により様々な半導体素子の評価が可能となる。 次世代メモリをはじめとする半導体素子の研究を促進する、短ターンアラウンドタイム・低コストでの試作が可能な統計的電気特性計測プラットフォーム技術の開発を行った。
|