研究課題
基盤研究(B)
InGaSb、Si/Geといった混晶半導体バルク結晶作製に関する固液界面不安定性制御に関して解析的、実験的に検討を行った。温度勾配法において重力の影響ならびに界面カイネティックスの影響について実験的に明らかにするとともに、これらの影響を考慮しうる解析コードを構築した。加えて、フローティング・ゾーン法によるSi/Ge結晶成長において、融液内マランゴニ対流現象を明らかにするとともに、融液内対流の制御法として、結晶回転、縦及び横方向の磁場印加の影響に関して数値解析を用い明らかにした。
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J.Cryst.Growth
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