研究課題
基盤研究(C)
放物型方程式の適切性の研究をリプシッツ作用素半群の生成定理の研究と関連付けて行った。強連続解析的半群の非線形摂動理論を増大度αの解析的半群の場合に拡張し、この結果の応用として半導体モデルに関連した移流拡散方程式の適切性を示した。また、強退化放物型方程式、結晶粒界現象のモデル方程式の弱解の存在・一意性を示した。従来の準縮小半群に対する近似定理をリプシッツ作用素半群の場合に拡張し、2次元ナヴィエ-ストークス方程式の解法に応用した。さらに、リプシッツ発展作用素の特徴付け定理についても研究を行った。
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すべて 雑誌論文 (12件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (25件)
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