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2013 年度 研究成果報告書

酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成

研究課題

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研究課題/領域番号 23560408
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関高知工科大学

研究代表者

古田 守  高知工科大学, 工学部, 教授 (20412439)

研究分担者 浦岡 行治  奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授 (20314536)
木村 睦  龍谷大学, 理工学部, 教授 (60368032)
研究期間 (年度) 2011 – 2013
キーワード先端機能デバイス / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 酸化物半導体 / 透明回路 / イメージセンサ
研究概要

本研究はワイドバンドギャップ酸化物半導体による透明トランジスタの実現に向けたものであり、酸化物半導体や絶縁膜と半導体界面の格子欠陥が電気特性や信頼性に及ぼす影響を明らかにすると同時に欠陥の不活性化手法を検討した。
本研究により可視光照射下においても電気的特性の変化のない、真の透明トランジスタを実現し、透明トランジスタからなる信号読み出し回路を有する新たな積層式色分離型光電変換素子を実証した。

  • 研究成果

    (22件)

すべて 2014 2013 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (12件) (うち査読あり 12件) 学会発表 (6件) 図書 (2件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Suppression of degradation induced by negative gate bias and illumination stress in amorphous InGaZnO thin-film transistor by applying negative drain bias2014

    • 著者名/発表者名
      D. Wang, M. Furuta, 他計5名(5番)
    • 雑誌名

      ACS applied Materials and Interfaces

      巻: 6 ページ: 5713-5718

    • DOI

      10.1021/am500300g

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Negative bias illumination stress induced electron trapping at back-channel interface of InGaZnO thin-film transistor2014

    • 著者名/発表者名
      M. P. Hung, M. Furuta, 他計4名(4番)
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: 3(3) ページ: Q13-Q16

    • DOI

      10.1149/2.010403ssl

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect2013

    • 著者名/発表者名
      S. Urakawa, M. Furuta, Y. Uraoka, 他計11名(8番)
    • 雑誌名

      Applie Physics letters

      巻: 102 ページ: 53506-1~3

    • DOI

      10.1063/1.4790619

    • 査読あり
  • [雑誌論文] The deterioration phenomenon of amorphous InSnZnO transistors derivered from the process of annealing2013

    • 著者名/発表者名
      S. Tomai, M. Furuta, 他計10名(10番)
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: 2(12) ページ: P107-P109

    • DOI

      10.1149/2.003312ssl

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and electrical properties of AlOx grown by mist chemical vapor deposition2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kawaharamura, M. Furuta, 計4名(4番)
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 3(3) ページ: 032135 -1~9

    • DOI

      10.1063/1.4798303

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical properties of thin-film transistor with an Indium-Gallium-Zinc Oxide channel and Aluminum oxide gate dielectric stack formed by solution-based atmospheric pressure deposition2012

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 他計5名
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 33 ページ: 851-853

    • DOI

      10.1109/LED.2012.2192902

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoleakage current of TFTs with ZnO channels formed at various oxygen partial pressure under visible light irradiation2012

    • 著者名/発表者名
      S. Shimakawa, M. Furuta, 他計8名(8番)
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 ページ: 03CB04-1~4

    • DOI

      10.1143/JJAP.51.03CB04

    • 査読あり
  • [雑誌論文] A 128×96 Pixel, 50μm Pixel Pitch Transparent Readout Circuit using InGaZnO4 Thin Film Transistor Array with Indium-Tin-Oxide Electrodes for Organic Image Sensor2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sakai, M. Furuta, 他計7名(7番)
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 ページ: 010202-1~3

    • DOI

      10.1143/JJAP.51.010202

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Extraction of Trap Densities in ZnO Thin-film Transistors and Dependence on Oxygen Partial Pressures during Sputtering of ZnO Films2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kimura, M. Furuta,他計9名(2番)
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: 58 ページ: 3018~3024

    • DOI

      10.1109/TED.2011.2158546

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Trap Densities in ZnO Thin-Film Transistors with SiOx Gate Insulators by Several Deposition Conditions2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kimura, M. Furuta, 他計9名
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: 14 ページ: H365-H367

    • DOI

      10.1149/1.3601058

    • 査読あり
  • [雑誌論文] ZnO Thin Film Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawamura, Y. Uraoka, 他計5名
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 ページ: 04DF05-1~4

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.04DF05

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High performance solution-processed InGaZnO thin-film Transistor fabricated by ozone-assisted atmospheric pressure mist deposition

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 他計5名(1番)
    • 雑誌名

      Journal of Display Technology (IEEE)

      巻: (in-press)

    • DOI

      10.1109/JDT.2013.2294967

    • 査読あり
  • [学会発表] Negative bias with illumination stress induced state creation in a-InGaZnO TFT2013

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 計7名(1番)
    • 学会等名
      International Conference of Semiconductor Technology for ULSI and TFT
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      20130000
  • [学会発表] High performance oxide Thin-Film Transistor fabricated using atmospheric pressure deposition method2013

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 計1名(1番)
    • 学会等名
      International Conference on Advanced Materials
    • 発表場所
      Qingdao, China
    • 年月日
      20130000
  • [学会発表] Atmospheric pressure Processed InGaZnO Thin-film transistors2013

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 計2名(1番)
    • 学会等名
      IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 年月日
      20130000
  • [学会発表] Solution-Based Atmospheric Pressure Deposition Method for Oxide TFTs2012

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 計3名(1番)
    • 学会等名
      The 19th International Display Workshops
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      20120000
  • [学会発表] Oxide Thin-Film Transistors for Flat Panel Displays and Transparent Electronics2012

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 計1名(1番)
    • 学会等名
      20th International Conference on Composites or Nano Engineering
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      20120000
  • [学会発表] Color Image Sensor with Virtically-stacked Organic Photoconductive Films2011

    • 著者名/発表者名
      M. Furuta, 計7名(6番)
    • 学会等名
      The 18th International Display Workshops (IDW'11)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      20110000
  • [図書] 応用物理, "ミスト化学気相成長法を用いた大気圧薄膜形成と酸化物機能デバイスのグリーンプロセス化"2014

    • 著者名/発表者名
      川原村敏幸, 古田守
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      応用物理学会(2014年9月号掲載決定)
  • [図書] 月刊ディスプレイ(2013年10月号), "溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術"2013

    • 著者名/発表者名
      古田守, 川原村敏幸
    • 総ページ数
      17-22(総ページ数6)
    • 出版者
      テクノタイムス社
  • [備考] 高知工科大学 古田研究室

    • URL

      http://www.env.kochi-tech.ac.jp/m-furuta/

  • [備考] 本研究の詳細に関する公開

    • URL

      http://www.env.kochi-tech.ac.jp/m-furuta/research01.html

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公開日: 2015-07-16  

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