2013 年度研究成果報告書

ばらつきに対応したＳＲＡＭの動作安定化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	23560423
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	大阪工業大学
研究代表者	牧野博之大阪工業大学, 情報科学部, 教授 (50454038)
研究期間 (年度)	2011 – 2013
キーワード	電子デバイス / 集積回路 / SRAM / しきい値電圧 / ばらつき / 動作安定化 / スピードセンサ / 電圧発生器
研究概要	トランジスタのしきい値電圧のばらつきによってSRAMが動作不良となる問題に対して、SRAMを救済し歩留まりを向上させる手法を確立した。この手法は、まずしきい値電圧の仕上がり値を検知し、次にこれに応じて最適な電圧をSRAMに与えるという2段階からなり、これによって従来は動作不良となっていたSRAMを動作可能とすることができる。本手法を実現するために、しきい値電圧の新たな検知方法を提案するとともに、しきい値とSRAMに与える最適電圧との関係を明らかにした。最終的にSRAM全体回路を設計し、シミュレーションを行うことによって、提案する手法が有効であることを確認した。