研究課題
基盤研究(C)
本研究は、製造後時間軸上でﾗﾝﾀﾞﾑに変調する閾値電圧Vtの動的なばらつき量σVtを擬似的に検出する手法。再び収束させる事を前提にしたVLSI設計手法を考案することであり、以下の研究を進めた。(1)時間軸上でﾗﾝﾀﾞﾑに変調するVtの動的なばらつき量σVtを擬似的に検出する。再び収束させる手段の実現可能性の検討。(2)実現可能性を検証するためのｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ用のﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ。(3)実効的なσVt_limit値向上のためのﾏｰｼﾞﾝｱｼｽﾄｵﾌｾｯﾄ電圧制御電極値の決定。成果の意義は、RTNによるVtの変調幅が従来のRDFによる変調幅に比較して同等か大きくなった場合の影響を定量的に示した。
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すべて 雑誌論文 (14件) (うち査読あり 14件) 学会発表 (20件)
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