2013 年度研究成果報告書

物質本来の強い超伝導を発現させる新奇プロセスの構築

研究課題

研究課題/領域番号	23560801
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	無機材料・物性
研究機関	九州大学
研究代表者	向田昌志九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50302302)
研究期間 (年度)	2011 – 2013
キーワード	超電導 / 人工ピンニングセンタ / 微傾斜 / 成長
研究概要	人工ピン材料を超電導膜に入れ、磁場中超電導特性を向上させた膜のTcを人工ピンのない膜と同等のTcまで戻すため、さらに物質本来の「強い超電導特性」が発現し、対破壊電流密度の25%以上という高いJcを実現するため、人工ピンの成長機構解明として、微傾斜基板を用い、1次元人工ピンの曲がりを調べた。その結果、ある角度以上で、人工ピンは超電導膜のステップフロー方向に成長し、超電導膜の一番弱いc-軸方向の磁場中臨界電流密度を高める効果が無くなることが分かった。また、テープ線材に不可欠なプロセスの低温化、高速化も行った。さらに、鉄系超電導膜の上部臨界磁場を詳しく調べる研究も行った。