研究課題/領域番号 |
23656225
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研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
研究代表者 |
池田 時浩 独立行政法人理化学研究所, 仁科加速器研究センター, 専任研究員 (80301745)
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研究協力者 |
小島 隆夫 理化学研究所, 山崎原子物理研究室, 専任研究員 (90211896)
本橋 健次 東洋大学, 理工学部・生体医工学科, 准教授 (50251583)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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キーワード | 多価イオンビーム / ガラス / 絶縁体 / 電気伝導度 / スイッチング現象 |
研究概要 |
ガラスは絶縁体として知られ、内部抵抗率は非常に高く、表面抵抗率も含め絶縁性が高い。厚さが0.1~1 mmほどのソーダライムのガラス板では実用的には電流は流れないとも見なせる。この高い絶縁性を可逆的に低くするようなスイッチング制御ができれば、極めて絶縁性の高いスイッチング素子が実現する。本研究では、制御に電場を用いるが、真空中でガラス板に多価イオンマイクロビームを照射してピンポイントに帯電させ、その反射イオンの軌道から帯電の様子、すなわち抵抗率が電場強度に応じてヒステリシスを持つスッチングをしている可能性をとらえ、モデル計算とも一致することを示した。
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