Geチャネルへの歪み印加技術を確立するため、ストレッサを形成後、ラマン分光法で歪みのストレッサ幾何学形状及び熱処理パラメータ依存性を調査し、フォトルミネセンス法で欠陥の生成、転移及び分布を解明した。Ge-MOSFETを作製するため、大気暴露無しでGe表面を極薄のSiO2/GeO2の2層膜で保護する手法を確立し、SiO2/Si 界面と同程度の低い界面準位密度(Dit)を実現した。SiO2/GeO2構造中の欠陥(スロートラップ)の影響を削除するため、一定温度深準位過渡分光法を確立し、GeO2/Geの正確なDitを評価した。歪み評価から、500 oC以下の低温で良質のGe-MOSFETを形成しなければならないことが分かったので、Ge-MOSFETの低温プロセス技術を開発し、トランジスタ動作を実証した。特に、p-MOSFETの場合、Siと比較して約4倍のチャネル移動度向上を達成した。
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