研究課題
若手研究(B)
一方向凝固過程の Si 融液に振動を印可することにより、初期凝固部に粗大な結晶粒が得られることがわかった。凝固速度が 20μm/sec(温度勾配:10K/cm)程度を超えると、Si の<211>、<110>、<100>方位が凝固方向に対して優先成長方位となり、初期凝固部の結晶粒径がさらに粗大化した。振動印可と凝固速度を制御することにより、初期凝固部に粗大な Si 結晶粒を種結晶として生み、最終凝固部に向けて柱状晶として育成できることを見出すことができた。
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