| 研究課題/領域番号 |
23H00253
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
トン ヴィンセント 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (50971628)
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| 研究分担者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20373441)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
電子デバイス材料として期待される層状化合物（遷移金属カルコゲナイド）の大面積結晶を製膜する方法を開発する研究である。カルコゲナイド薄膜の結晶方位を制御した製膜（symmetry engineering）を計算機シミュレーションと製膜実験の組み合わせによって実現することをめざす。
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| 学術的意義、期待される成果 |
この研究が進展することによって、シリコンに変わるデバイスとして利用可能な欠陥密度の少ないカルコゲナイド2次元半導体の育成、さらにはカルコゲナイド半導体の産業応用へ一歩近づくことができる。とくに、基板結晶となる結晶の階段構造（ステップエッジ）をテンプレートとするカルコゲナイド製膜条件の密度汎関数法シミュレーションと、実験による検証をセットとした研究から技術革新の芽が生まれることを期待する。
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