| 研究課題/領域番号 |
23H00271
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小関 泰之 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (60437374)
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| 研究分担者 |
前田 拓也 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 (20965694)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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| 研究の概要 |
SiC、GaN等のワイドギャップ半導体で形成されるデバイス内部に電流ストレスにより引き起こされる結晶欠陥のダイナミクスおよび機構を明らかにするために、応募者が開発した誘導ラマン散乱顕微鏡に対してパルスレーザー光源を開発して、従来の生体イメージングに活用していたシステムを半導体計測に最適化する研究計画となっている。
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| 学術的意義、期待される成果 |
誘導ラマン散乱顕微鏡法による高速イメージングで培った技術を産業的に重要なワイドギャップ半導体へ拡張し、半導体内部の欠陥・キャリア密度の3次元評価を可能にすることで半導体結晶の品質のみならず、デバイス動作時の欠陥形成ダイナミクスの解明まで期待できる。学術的にも産業的にも重要であり、波及効果の高い研究計画である。
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