ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

2023 年度 研究概要(採択時)

• 研究課題/領域番号: 23H05460
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分D
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
• 研究分担者: 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291) ; 田中 崇之 名城大学, 理工学部, 准教授 (10367120) ; 今井 大地 名城大学, 理工学部, 准教授 (20739057) ; 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 教授 (40367735) ; 亀井 利浩 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (90356824) ; 秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
• 研究期間 (年度): 2023-04-12 – 2028-03-31