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2023 年度 研究概要(採択時)
ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
研究課題
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研究課題/領域番号
23H05460
研究種目
基盤研究(S)
配分区分
補助金
審査区分
大区分D
研究機関
名城大学
研究代表者
竹内 哲也
名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
研究分担者
上山 智
名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
田中 崇之
名城大学, 理工学部, 准教授 (10367120)
今井 大地
名城大学, 理工学部, 准教授 (20739057)
岩谷 素顕
名城大学, 理工学部, 教授 (40367735)
亀井 利浩
国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (90356824)
研究期間 (年度)
2023-04-12 – 2028-03-31