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本研究では、次世代の高感度力学センサの素子として期待される、Silicon Nanowire（SiNW）の機械-電気連成特性評価を実施した。長さ10um、直径80nmのSiNW単体に対して、単軸歪みを付与しながら電気特性を調べたところ、歪み3%において、<111>方向SiNWの電気伝導率が5倍@3%，<112>方向のそれは1.53倍@3%に達した。また、SiNWのゲージ率は、<111>方向SiNWが-170.7@0.2%を示し、また、<112>方向SiNWは-128.9@0.1%となった。この値はバルクSiより大きな値であり、次世代力学センサ素子として、SiNWは有効であることが示唆された。
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