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本研究では、半導体基板表面への集束イオンビーム（FIB）照射により特異的なナノ構造（Geにおけるナノ多孔構造、InSbにおけるナノ突起構造）の構造や形状が制御して形成できることを明らかにした。また、得られる構造がFIB照射パラメータにより変化することを明らかにするための知見を得ることができた。一方、スパッタリング法で形成した金属チタン薄膜を酸素プラズマで酸化して二酸化チタンを得る、という本研究で提案したプロセスを、これらのナノ構造を持つ基板表面に適用することで、光触媒機能の発現と機能性の向上が期待できる結果が得られた。
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