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走査SQUID顕微鏡により個々の磁束量子の挙動を実空間で直接観察し、これまで薄膜中を流れる電流と磁束量子を同時に観測する手法を提案してきた。これを利用し磁束が特定方向に動きやすい構造の接合付近での直接観察を目的とした。
人工粒界のある超伝導薄膜に加工し、磁束量子の観察を行った。粒界接合への量子化磁束の侵入過程の直接観察に成功し、アンチドット付近の磁場分布を計算し非円形でも電流評価を行った。材料となる薄膜の高品質化も実施し、新たな成長様式の非c軸配向Bi系超伝導体の作製・評価法を開発した。この膜でジョセフソン磁束のテクスチャが薄膜で観察され、本研究に有効な材料であることが見出された。
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