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電子セラミックス薄膜の誘電率特性を実装基板に熱影響を及ぼさずに向上させるための基礎的研究を目的とし、シンプルな光ファイバー結合型高輝度半導体レーザモジュールを複数個結合させることにより、600W級のフレキシブルビームシステムを設計・試作した。
これを用いて形成した幅300μm、長さ2600μmのフラットトップビームを、AD（エアロゾルデポジション）法で200μm厚の銅基板上に成膜した5μm厚のチタン酸バリウム薄膜に照射し、300mm/sの高速走査でレーザアニーリングを行うことで、基板に熱影響を与えることなく30分間の電気炉加熱に匹敵する誘電率に向上させることに成功した。
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