2024 年度審査結果の所見

SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御

研究課題

研究課題/領域番号	24H00308
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	東京大学
研究代表者	喜多浩之東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 (00343145)
研究期間 (年度)	2024-04-01 – 2027-03-31
学術的意義、期待される成果	パワーデバイスの本命と目されているSiC-MOSFETにおいては、SiC／SiO2界面における欠陥が動作の劣化を起こしており、本研究ではSiC/SiO2界面の作製プロセスと界面での伝導特性の関連を明らかにすることにより、界面欠陥の起源の解明と、SiCパワーデバイスの性能向上が期待される。