Ge薄膜中キャリア輸送機構に及ぼす同位体および界面散乱に関する研究

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25249032
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 鳥海 明 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50323530)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: 電子デバイス / 半導体物性 / ゲルマニウム / 同位体 / 界面散乱

研究成果の概要

Ge基板にH2処理を施すことによって原子レベル平坦性をGe表面上に実現することができ，高電子密度下での移動度を大きく改善することができた。一方，同位体効果に関しては，同位体効果以前のホモエピの質の問題として現れてしまい明瞭な結果をえることができなかったが，それ以上に大きな効果として基板内の酸素起因の欠陥の移動度への著しい影響を発見することができた。これもH2アニールによって取り除くことができ，移動度の大幅改善を実現することができた。両者ともGe CMOSの可能性を大きく広げる成果である。

自由記述の分野

材料科学的観点に基づいた新材料電子デバイスの開発とデバイス物理の研究