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地球規模の環境エネルギー問題に大きく貢献する、パワーデバイスの省エネ化を目的として、優れた物性を有するダイヤモンド半導体を用いた新規な接合型電界効果トランジスタを試作し、オン抵抗5 mΩcm2以下（現状比10倍向上）で絶縁破壊電界5 MV/cm以上の性能を実現した。具体的には、n型ダイヤモンドの選択成長法を用いた横型pn接合ダイオードを適用した接合FET、さらには大電流化を目的としたマイナリティキャリア注入による伝導度変調デバイスを提案し、その効果を検証した。さらに縦型構造によるオン電流を確認し、界面の解析やナノスケールでのキャリア輸送特性を解明することにより、制御性の向上を見出した。
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