研究課題/領域番号 |
25289089
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 一部基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 九州大学 |
研究代表者 |
宮尾 正信 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 特任教授 (60315132)
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研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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キーワード | 電気・電子材料 / 半導体 / Si系ヘテロ半導体 |
研究成果の概要 |
本研究では、高性能GeSnデバイスの融合によるSi集積回路性能の飛躍的向上を目指し、Ge中におけるSnの熱平衡固溶度の壁を打破する非熱平衡GeSnプロセスの検討を行った。さらに、その知見を絶縁膜上におけるGeSn横方向成長に展開し、Si基板と絶縁分離した高Sn濃度(≧8%)GeSn-on-Insulator構造の形成技術を開発した。
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自由記述の分野 |
工学
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