|
投影ポテンシャル法を用いたロッキング曲線から、Si(001)2x1表面上のシリコンダイマーは室温の非対称構造から約1000Kの高温では対称構造に変化することが解析された。BRAESプロファイルは表面波共鳴条件下においてSi(LVV)オージェ強度の増大を示した。計算によるSi原子列上の波動場強度もこの入射条件下で増大することが確認された。
二元系結晶のZnO(0001)表面においてはロッキング曲線から極性表面の識別と共に、表面の構造緩和が解析された。特に、Zn(LMM)とO(KLL)のBRAESプロファイルには異なる振る舞いが得られたが、これはオージェ電子の波動場励起を示唆するものである。
|
