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本研究では、光酸化法を活用して、金属酸化物の半導体のプレーナー型pn接合を金属の酸化により形成する。金属酸化物半導体は両伝導型を得ることが一般に困難なので、p形伝導を示す酸化ニッケル、N形伝導を示す酸化亜鉛を用いた。金属亜鉛を400℃で紫外線酸化して得られた酸化亜鉛は、ホール測定で1E16 cm-3オーダーの電子濃度、移動度2 cm2V-1s-1を示した。一方、酸化ニッケルは、高抵抗を示し、ホール測定ではp、nの判別はできなかった。しかし、Zn上に堆積したNiからなる積層構造を400℃で紫外線酸化したところ、リーク電流は大きいもののpnダイオードの特性が得られた。
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