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金属/Ｇｅ界面の強力なフェルミレベルピンニング（ＦＬＰ）に対し，メカニズムの理解とショットキー障壁高さの制御指針の構築を目指した．理想的なＧｅ表面の形成として水素雰囲気中熱処理による原子レベル平坦表面を有するステップ＆テラス構造の形成を実現した．しかしながらこれらはＧｅ電界効果トランジスタの特性を改善するが，ＦＬＰには影響を与えなかった．一方で金属Ｇｅ化合物/Ｇｅ界面ではＦＬＰが緩和し，ショットキー障壁高さが大幅な界面構造依存性を有することを明らかにした．これはＧｅのＦＬＰが金属の自由電子密度に応じて変化する本質的な半導体中への電子の浸み出しのメカニズムにより説明されることを示唆する．
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