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異種界面に生じる真性応力は半導体微細パターンの構造不安定を引き起こす重要な因子のひとつであり，工学分野においては，真性応力に起因する構造不安定を原子スケールと連続体スケールの観点から定量的に予測することは必要不可欠である．本研究では，板理論を適用して，ドライエッチング中の微細パターンの横うねり座屈に関する予測モデルを構築し，実験データとの比較から本モデルの有効性を示した．次に，分子動力学法を用いてドライエッチングの原子モデルを構築し，酸化膜形成解析によって酸化膜内の圧縮応力が1GPaを超えることを明らかにした．以上より，連続体モデルと原子モデルに基づいた微細パターンの座屈評価手法を確立した．
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