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比較的低温での成膜が可能で，高いバリア性と密着性が得られるプラズマCVD法により，高ガスバリア性シリカ膜の作製を行った。原料にはヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用い，ポリエチレンナフタレート（PEN）フィルム上に製膜した。キャリアガス（O2，H2）と成膜条件が膜組成や膜特性，成膜速度に与える影響に関する知見を得た。
また，独自に作製したガス透過測定装置を用いて，成膜前のPENフィルムでO2透過量を測定し，文献データと比較することにより測定法の妥当性を検証した。
プラズマCVD法により作製したSiOC膜のO2透過量を実測し，O2パーミアンスの値を得た。
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