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本研究では単分子磁石を精密に集積する手法を開発し、その分子素子構造を分子スピンバルブ素子と位置付ける。有機合成的にポルフィリンを修飾し、単分子磁石の高次構造を精密に制御するという設計指針で、巨大磁気抵抗効果を再現性良く発現する革新的分子磁性材料を開発することを目指した。本研究では、フタロシアニンと同様の配位構造をとり、かつ有機合成的手法で分子修飾が容易なポルフィリン誘導体を用いて新規ダブルデッカー型テルビウム錯体を合成し、プロトンスイッチングや炭素材料上への配列などの機能を付与することに成功した。
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