研究課題
若手研究(B)
ハライド気相成長法により、新規な窒化物半導体であるScNの結晶成長を検討した。独自開発による高耐食性反応炉により、不純物密度を劇的に低減した(従来比1/100-1/1000)。またサファイアM面およびR面基板上で単結晶成長に成功した。それらの結晶性が膜厚とともに向上することを見出し、報告されている中で最高の結晶品質を達成した。従来大きな問題であった不純物および残留キャリア濃度も1/100程度に低減することができた。
窒化物、酸化物半導体のハライド気相成長法による結晶成長