2015 年度研究成果報告書

単電子効果起因エラー耐性を有する極微細NANDフラッシュメモリシステムの構築

研究課題

研究課題/領域番号	25820148
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	信州大学
研究代表者	宮地幸祐信州大学, 学術研究院工学系, 准教授 (80635467)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード	NANDフラッシュメモリ / ランダムテレグラフノイズ / デバイスシミュレーション / 離散不純物ばらつき
研究成果の概要	極微細NANDフラッシュメモリにおいて主要エラー源となる、単電子効果に起因するノイズ（ランダムテレグラフノイズ：RTN）に対するエラー耐性システム構築を見据え、三次元デバイスシミュレーションを用いてRTN強度分布を解析し、その起源解明を試みた。NANDフラッシュメモリのRTN強度分布において、これまで主要な物理要因として考えられていたチャネル不純物個数・位置ばらつき以外に、トラップ個数やセルデータパターンなど様々な物理パラメータが関係していることが新しく分かった。
自由記述の分野	半導体集積メモリデバイス