面内方向に格子定数を拡張させたパラジウム薄膜における水素吸蔵

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25820351
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 構造・機能材料
• 研究機関: 群馬大学 (2014); 東京工業大学 (2013)
• 研究代表者: 青木 悠樹 群馬大学, 教育学部, 講師 (60514271)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: 水素吸蔵 / パラジウム / 銀 / 格子定数

研究成果の概要

水素貯蔵材料であるパラジウム(Pd)金属を、格子定数が大きいAg表面にエピタキシャル成長させる事でPdの格子定数を変調させ、それに伴う水素吸蔵特性変化を調べることを目的とする。Pd膜中における水素吸蔵量の全量は水素昇温脱離測定から調べた。一方、反射高速電子線回折(RHEED)を測定する事から、表面のPd格子定数の水素吸蔵に伴う格子定数変化を調べた。その結果から、Pd/Ag界面の効果は小さく、Pd表面近傍に濃度が高い水素化物が形成されていることが分かった。

自由記述の分野

表面科学